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Dual, SiGe, High-Linearity, 1700MHz to 2200MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
Typical Operating Characteristics (continued)
(Typical Application Circuit, optimized for the DCS/PCS band , R1 = R4 = 806 Ω , R2 = R5 = 2.32k Ω , V CC = +5.0V , P LO = 0dBm,
P RF = -5dBm, LO is low-side injected for a 190MHz IF, T C = +25°C, unless otherwise noted.)
-20
-30
-40
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
-30
-40
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
-30
-40
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-50
T C = -30°C, +25°C, +85°C
-50
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
-50
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
-60
-70
-60
-70
-60
-70
1400
1600
1800
2000
2200
2400
1400
1600
1800
2000
2200
2400
1400
1600
1800
2000
2200
2400
-10
-20
-30
-40
LO FREQUENCY (MHz)
2LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
T C = -30 ° C
T C = +25°C
-10
-20
-30
-40
LO FREQUENCY (MHz)
2LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-10
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-30
-40
LO FREQUENCY (MHz)
2LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-50
T C = +85°C
-50
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
-50
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
-60
-60
-60
1400
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2000
2200
2400
1400
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2000
2200
2400
1400
1600
1800
2000
2200
2400
70
LO FREQUENCY (MHz)
LO SWITCH ISOLATION
vs. LO FREQUENCY
T C = -30 ° C
70
LO FREQUENCY (MHz)
LO SWITCH ISOLATION
vs. LO FREQUENCY
70
LO FREQUENCY (MHz)
LO SWITCH ISOLATION
vs. LO FREQUENCY
60
50
40
T C = +85°C
T C = +25°C
60
50
40
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
60
50
40
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
1400
1550
1700
1850
2000
2150
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LO FREQUENCY (MHz)
LO FREQUENCY (MHz)
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